碳化硅一維納米資料因為本身的微觀描摹和晶體結(jié)構(gòu)使其具有更多獨(dú)特的優(yōu)異功用和愈加廣泛的使用遠(yuǎn)景，被普遍認(rèn)為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體資料的重要組成單元。第三代半導(dǎo)體資料即寬禁帶半導(dǎo)體資料，又稱高溫半導(dǎo)體資料，首要包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。這類資料具有寬的禁帶寬度（禁帶寬度大于2.2ev）、高的熱導(dǎo)率、高的擊穿電場、高的抗輻射才能、高的電子飽和速率等特點(diǎn)，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制造。第三代半導(dǎo)體資料憑借著其優(yōu)異的特性，未來使用遠(yuǎn)景非常寬廣。